书目详细信息
： IGCT器件与应用
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-302-68748-1:CNY198.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | IGCT器件与应用/.曾嵘，吴锦鹏著 |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2025 |
| 载体形态项： | 10,341页:;+图，肖像:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书首章阐述IGCT基本概念，涵盖功率半导体器件发展历程、IGCT结构原理、分类、功率等级扩展及适用场景。接着从阻断、导通、关断特性展开，详细分析各特性的原理、影响因素及提升方法。芯片制造工艺部分介绍硅单晶生长、掺杂、薄膜、光刻等工艺；封装技术涉及压接式封装结构、关键参数、工艺及先进技术；驱动技术讲解原理、关键电路设计和先进拓扑。此外，还介绍了IGCT测试与可靠性、失效短路特性、仿真模型。 |
| 并列题名： | IGCT devices and applications eng |
| 题名主题： | 晶闸管 |
| 中图分类： | TN34 |
| 个人名称等同： | 曾嵘 著 |
| 个人名称等同： | 吴锦鹏 著 |