书目详细信息
： 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5767-0544-7:CNY128.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 230000 |
| 题名责任者项： | 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法/.李兴冀等编著 |
| 出版发行项： | 哈尔滨:,哈尔滨工业大学出版社:,2023 |
| 载体形态项： | 401页:;+图:;+24cm |
| 一般附注： | 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目 |
| 提要文摘： | 本书共分为4章：第1章为半导体物理基础，介绍缺陷相关理论；第2章介绍半导体材料器件与原始缺陷；第3章在辐射物理基础上，介绍了辐射诱导缺陷形成与演化、缺陷性质等模拟仿真方法及应用；第4章介绍半导体材料与器件缺陷表征与分析的常用方法。 |
| 并列题名： | Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices eng |
| 题名主题： | 半导体材料 研究 |
| 中图分类： | TN304 |
| 个人名称等同： | 李兴冀等 编著 |