书目详细信息
： 忆阻器导论
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-056687-4:CNY180.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 忆阻器导论/.缪向水 ... [等] 编著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2018.3 |
| 载体形态项： | 432页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 存储器科学与技术丛书 |
| 相关题名附注： | 英文并列题名取自封面 |
| 提要文摘： | 本书在全面阐述忆阻器的基本理论、发展历史及趋势的基础上，从忆阻器材料体系、器件设计及集成工艺等方面系统论述忆阻器的物理机制、器件模型和实现方法，并详细介绍忆阻器在可编程模拟电路、类脑神经形态计算，以及非易失性逻辑运算等新兴信息存储与处理融合领域的重要应用，最后对忆阻与其他物理效应耦合的多功能器件的未来发展前景进行探讨。 |
| 并列题名： | Introduction to memristor eng |
| 题名主题： | 非线性电阻器 |
| 中图分类： | TM54 |
| 个人名称等同： | 缪向水 编著 |
| 个人名称等同： | 李袆 编著 |
| 个人名称等同： | 孙华军 编著 |