书目详细信息
： CMOS模拟集成电路设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 7-121-00641-3:CNY65.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | CMOS模拟集成电路设计/.[美] Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg著/.冯军, 李智群译 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2005.3 |
| 载体形态项： | 13,644页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 国外电子与通信教材系列 |
| 一般附注： | 并列题名：CMOS Analog Circuit Design |
| 提要文摘： | 全书共分十章，主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识，CMOS技术，器件模型，以及主要模拟电路的原理和设计，包括 CMOS基本单元电路（MOS开关、MOS二极管、有源电阻、电流漏、电流源、电流镜、带隙基准源、基准电流源和电压源等），放大器，运算放大器，比较器，开关电容电路，D／A和A／D转换电路。 |
| 并列题名： | CMOS Analog Circuit Design eng |
| 题名主题： | 模拟集成电路 电路设计 教材 |
| 中图分类： | TN431.102 |
| 个人名称等同： | 艾伦, P. E. 著 |
| 个人名称等同： | 霍尔伯格, D. R. 著 |
| 个人名称次要： | 冯军 译 |
| 个人名称次要： | 李智群 译 |
| 记录来源： | CN GGDT 20050909 |