书目详细信息
： 纳米CMOS器件及电路的辐射效应
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-40841-0:CNY79.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米CMOS器件及电路的辐射效应/.刘保军, 刘小强, 刘忠永著 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2021 |
| 载体形态项： | 253页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书主要介绍广泛存在的各种辐射对纳米CMOS器件及其电路的影响, 涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米电路的影响及辐照实验设计等, 综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响, 从器件、电路角度建模分析, 给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。本书对高“k”栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴的纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术进行了分析和讨论, 还给出了单粒子串扰的建模方法以及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。 |
| 题名主题： | 半导体器件 纳米材料 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 刘保军, 著 |
| 个人名称等同： | 刘小强 著 |
| 个人名称等同： | 刘忠永 著 |