ISBN/价格: | 978-7-111-24731-9:CNY35.00 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 半导体物理与器件/.裴素华 ... [等] 编著 |
出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2008.9 |
载体形态项: | 327页:;+图:;+26cm |
丛编项: | 普通高等教育“十一五”电子信息类规划教材 |
提要文摘: | 本书内容包括:半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术、Ga在SiO2,/Si结构下的开管掺杂共6章。每章后附有内容小结、思考题和习题。书后有附录。 |
题名主题: | 半导体器件 半导体物理 高等学校 教材 |
中图分类: | TN303 |
个人名称等同: | 裴素华 编著 |
记录来源: | CN 兰州理工书店 20091106 |
记录来源: | CN GGDT 20091209 |